Aluminium sinkoksid sputtering mål
Aluminium sinkoksid sputtering mål
Aluminiumsinkoksidforstøvningsmål Med utviklingen av transparente ledende filmer har AZO (Al2O3-ZnO) mål, som kan erstatte ITO, blitt mye brukt. Den transparente ledende AZO-filmen har et båndgap på 3,4eV og en egen absorpsjonsgrense på 360nm, som kan brukes som et vinduslagmateriale for tynnfilmsbatterier. Dens brede båndgap-funksjon kan redusere absorpsjonen av lys med p, n-type dopede områder og forbedre utnyttelsesgraden av lysenergi. Samtidig har den transparente ledende AZO-filmen lav resistivitet og høy synlig lystransmittans, noe som gjør den til et godt front-transparent lagmateriale. Samtidig har AZO også egenskapene til høy plasmastabilitet, enkel tilberedningsteknologi og ikke-giftige og ufarlige råvarer, noe som gjør AZO mer utbredt innen tynnfilmsolceller.
Aluminium sinkoksid sputtering mål Bilde:
Vårt firma kan tilby kunder med høy renhet, høy tetthet og enhetlig organiserte AZO-mål, samt den forpliktende tjenesten til AZO-mål og bakplan.
Type | Produktnavn | Formel | Renhet | Smeltepunkt | Tetthet (g/cc) | Tilgjengelige former |
Oksider | Aluminiumoksid | Al2O3 | 4N | 2045 | 4 | Mål, partikkel |
Vismut(III)oksid | Bi2O3 | 4N | 820 | 8.9 | Mål, partikkel | |
Krom(III)oksid | Cr2O3 | 4N | 2435 | 5.2 | Mål, partikkel | |
Erbiumoksid | Er2O3 | 4N | 2378 | 8.64 | Mål, partikkel | |
Hafniumoksid | HfO2 | 4N | 2812 | 9.7 | Mål, partikkel | |
Indium tinnoksid | ITO | 4N | 1565 | 7.6 | Mål | |
Magnesiumoksid | MgO | 4N | 2800 | 3.58 | Mål, partikkel | |
Niobpentoksid | Nb2O5 | 4N | 1530 | 4.47 | Mål, partikkel | |
Neodym(III)oksid | Nd2O3 | 4N | 2272 | 7.2 | Mål, partikkel | |
Nikkeloksid | NiO | 4N | 1990 | 7.45 | Mål, partikkel | |
Scandium Oxide | Sc2O3 | 4N | 2480 | 3.86 | Mål, partikkel | |
Silisiumoksid | SiO | 4N | 1702 | 2.13 | Mål, partikkel | |
Silisiumdioksid | SiO2 | 4N | 1610 | 2.2 | Mål, partikkel, krystall | |
Samarium(III)oksid | Sm2O3 | 4N | 2350 | 7.4 | Mål, partikkel | |
Tantalpentoksid | Ta2O5 | 4N | 1800 | 8.7 | Mål, partikkel | |
Titandioksid | TiO2 | 4N | 1800 | 4.29 | Mål, partikkel | |
Titan (V) oksid | Ti3O5 | 4N | 1750 | 4.57 | Mål, partikkel | |
Vanadium(V)oksid | V2O5 | 4N | 690 | 3.36 | Mål, partikkel | |
Yttrium(III)oksid | Y2O3 | 4N | 2680 | 4.8 | Mål, partikkel | |
Sinkoksid | ZnO | 4N | 1975 | 5.6 | Mål, partikkel | |
Aluminiumdopet sinkoksid | AZO | 4N | \ | 5.4 | Mål | |
Zirkoniumdioksid | ZrO2 | 4N | 2700 | 5.5 | Mål, partikkel | |
Fluor | Bariumfluorid | BaF2 | 4N | 1280 | 4.8 | Mål, partikkel |
Kalsiumfluorid | CaF2 | 4N | 1360 | 3.13 | Mål, partikkel | |
Ceriumfluorid | CeF3 | 4N | 1418 | 6.16 | Mål, partikkel | |
Kaliumfluorid | KF | 4N | 880 | 2.48 | Mål, partikkel | |
Lantan(III)fluorid | LaF3 | 4N | 1490 | 6 | Mål, partikkel | |
Magnesiumfluorid | MgF2 | 4N | 1266 | 4.2 | Mål, partikkel | |
Natriumfluorid | NaF | 4N | 988 | 2.79 | Mål, partikkel | |
Andre | Barium Titanate | BaTiO3 | 4N | 1620 | 3.96 | Mål, partikkel |
Strontiumtitanat | SrTiO3 | 4N | 2080 | 5.12 | Mål, partikkel | |
Sinksulfid | ZnS | 4N | 1830 | 4.1 | Mål, partikkel | |
Silisiumnitrid | Si3N4 | 4N | sublimering | 3.44 | Mål, partikkel | |
Titannitrid | Tinn | 4N | 2950 | 5.43 | Mål, partikkel | |
Aluminiumnitrid | AlN | 4N | sublimering | 3.26 | Mål, partikkel | |
Bornitrid | BN | 4N | 3000 | 2.25 | Mål, partikkel | |
Slilisiumkarbid | SiC | 4N | 2700 | 3.22 | Mål |
Populære tags: Aluminium sinkoksid sputtering mål, leverandører, produsenter, fabrikk, tilpasset, engros, pris, tilbud, til salgs
Sende bookingforespørsel
